我国RFID芯片设计水平仍落后于国际先进水平
来源：
网络 日期：2022-07-27
目前，发达国家在多种频段都实现了电子标签芯片的批量生产，无源微波电子标签的工作距离可以超过1 m，无源超高频电子标签的工作距离可以达到5 m以上，模拟前端多采用了低功耗技术，功耗可以做到几毫瓦，批量成本接近10美分。我国在低频和高频电子标签芯片设计方面的技术比较成熟，已经自主开发出符合ISO/IEC 14443 A类、B类和ISO/IEC 15693标准的RFID芯片，并成功地应用于交通一卡通和中国第二代身份证等项目。
与国际先进水平相比，我国在RFID芯片设计方面仍存在的主要差距如下。
(1)国外在RFID芯片设计方面起步较早，并申请了许多技术专利;而国内起步较晚，在超高频和微波频段的RFID芯片设计方面的基础还比较薄弱。
(2)在存储器方面，发达国家已经开始使用标准CMOS工艺设计非挥发存储器，使得电子标签的所有模块有可能在标准的CMOS工艺下制作完成，以降低生产成本;而国内在这方面还处于研究阶段。
(3)电子标签对成本比较敏感，芯片设计需要在模拟电路和数模混合电路设计方面具有丰富经验的专业人才，而国内这方面技术力量相对薄弱。
